transistor

transistor

olemus
lülitus- ja võimendusostarbeline elektroonikadetail
kolme-, nelja- või viieviigulise pooljuhtseadisena või
sellele vastav integraallülituse element

liigitusalused
- pooljuhtmaterjal: Ge, Si, GaAs, SiC, Si-Ge-sulam, grafeen
- struktuur: unipolaar-, bipolaar- ja nende alaliigid
- polaarsus: npn, pnp, n-kanaliga, p-kanaliga
- võimsus: väikevõimsus-, keskvõimsus-, võimsus-
- töösagedus:
------ madal-, kesk-, kõrg-, raadio-, mikrolainesagedus
- rakendus, näiteks:
------ universaal-, lülitus-, võimendus-, audio-, kõrgepinge-
- võimendustegur või läbijuhtivus
- kest: metall, plast, läbiava-, pind-

ülevaateid
https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Types-of-transistors.php

https://www.elprocus.com/different-types-of-transistor-and-their-functions/

http://www.electronicshub.org/transistors-classification-and-types/

väike transistorisõnastik
active region -- aktiivala
avalanche transistor -- laviintransistor
base -- baas
BioFET (biologically sensitive FET) -- biotundlik väljatransistor
BJT (bipolar junction transistor) -- bipolaartransistor
breakdown region – läbilöögiala
CMOS (complementary MOS) --
-- komplementaarne MOP (metall-oksiid-pooljuht- )
CNTFET (carbon nanotube FET) --
-- süsiniknanotoru-väljatransistor
collector – kollektor
cut-off mode _-- sulgerežiim
cut-off region_ – sulgeala
Darlington transistor, Darlington pair -- liittransistor
DEPFET (depleted FET) – vaegus-väljatransistor
DG (double-gate, dual-gate)– kahepaisuline
diffusion transistor _-- difusioontransistor
DNAFET (DNA field-effect transistor)_ –
-- DNH-väljatransistor
drain – neel
emitter – emitter
EMOSFET (enhancement mode MOSFET)
-- MOP-küllustransistor
ENFET (enzyme FET) – ensüüm-väljatransistor
FET (field-effect transistor) -- väljatransistor
FinFET (fin field-effect transistor) – ribikanaliga väljatransistor
FlexFET – FlexFET (American Semiconductori kaubamärk)
floating gate transistor -- ujupaistransistor
FREDFET (fast-recovery epitaxial diode FET)
-- kiirtagastuv epitaksdiood-väljatransistor
GAA FET(gate-all-around FET)
-- ringpaisuga väljatransistor
gate – pais
GNRFET (graphene nano-ribbon FET)
-- grafeennanolint-väljatransistor
HEMT (high electron mobility transistor) = HFET
HFET (heterostructure FET) – hetero-väljatransistor
high-frequency transistor – kõrgsagedustransistor
IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
-- isoleeritud paisuga bipolaartransistor
ISFET (ion-sensitive field-effect transistor)
-- ioonitundlik väljatransistor
ITFET (interlayer tunnel FET)
-- kihtidevahelise tunneliga väljatransistor
ITFET (inverted T channel FET)
-- pöörd-T-kanaliga väljatransistor
JFET, JUGFET (junction FET, junction gate FET)
-- pn-siirdega väljatransistor
junction transistor = BJT
linear region -- lineaarala
MESFET (metal semiconductor FET)
-- metall-pooljuht-väljatransistor, Schottky väljatransistor
MNOS (metal-nitride-oxide-semiconductor)--
-- metall-nitriid-oksiid-pooljuht-
MODFET (modulation-doped FET) = HFET
MOS (metal-oxide-semiconductor)
--
-- MOP (metall-oksiid-pooljuht)
MOSFET (MOS FET)
-- MOP-väljatransistor, isoleerpaisuga väljatransistor
MiGFET (multiple-independent-gate FET)--
-- autonoom-mitmepaisuline väljatransistor
MuGFET (multigate FET) -- mitmepaisuline väljatransistor
nJFET (n-channel junction FET)- n-kanaliga pn-väljatransistor
nMOSFET (n-channel MOSFET) --
-- n-kanaliga isoleerpais-väljatransistor
NOMFET (nanoparticle organic memory FET)
-- sünaps-väljatransistor
NPN-BJT – npn-bipolaartransistor
OFET (organic field-effect transistor)
-- orgaaniline väljatransistor
ohmic region -- oomiala
omega FinFET -- oomegapaisuga ribikanal-väljatransistor
pJFET (p-channel junction FET) --
-- p-kanaliga pn-väljatransistor
pi-gate -- piipaisuga
photo transistor -- fototransistor
pinched-off region = cut-off region
planar -- planaar-
PNP-BJP -- pnp-bipolaartransistor
power transistor-- võimsustransistor
QFET (quantum FET) -- kvant-väljatransistor
reverse active mode – pöördaktiivrežiim
saturation region -- küllastusala
SET (single electron transistor) – ainuelektrontransistor
SNWFET (silicon nano wire FET)
-- räninanotraat-väljatransistor
source --läte
substrate – põhimik
TFET (tunnel FET)-- tunnel-väljatransistor
tri-gate – kolmepaisuline
UJT (unijunction transistor) -- ainusiirdega transistor, kaksikbaasdiood
vertical – püst-
VeSFET (vertical-slit FET) -- püstpiluga väljatransistor

Toimub laadimine

transistor

transistor

olemus
lülitus- ja võimendusostarbeline elektroonikadetail
kolme-, nelja- või viieviigulise pooljuhtseadisena või
sellele vastav integraallülituse element

liigitusalused
- pooljuhtmaterjal: Ge, Si, GaAs, SiC, Si-Ge-sulam, grafeen
- struktuur: unipolaar-, bipolaar- ja nende alaliigid
- polaarsus: npn, pnp, n-kanaliga, p-kanaliga
- võimsus: väikevõimsus-, keskvõimsus-, võimsus-
- töösagedus:
------ madal-, kesk-, kõrg-, raadio-, mikrolainesagedus
- rakendus, näiteks:
------ universaal-, lülitus-, võimendus-, audio-, kõrgepinge-
- võimendustegur või läbijuhtivus
- kest: metall, plast, läbiava-, pind-

ülevaateid
https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Types-of-transistors.php

https://www.elprocus.com/different-types-of-transistor-and-their-functions/

http://www.electronicshub.org/transistors-classification-and-types/

väike transistorisõnastik
active region -- aktiivala
avalanche transistor -- laviintransistor
base -- baas
BioFET (biologically sensitive FET) -- biotundlik väljatransistor
BJT (bipolar junction transistor) -- bipolaartransistor
breakdown region – läbilöögiala
CMOS (complementary MOS) --
-- komplementaarne MOP (metall-oksiid-pooljuht- )
CNTFET (carbon nanotube FET) --
-- süsiniknanotoru-väljatransistor
collector – kollektor
cut-off mode _-- sulgerežiim
cut-off region_ – sulgeala
Darlington transistor, Darlington pair -- liittransistor
DEPFET (depleted FET) – vaegus-väljatransistor
DG (double-gate, dual-gate)– kahepaisuline
diffusion transistor _-- difusioontransistor
DNAFET (DNA field-effect transistor)_ –
-- DNH-väljatransistor
drain – neel
emitter – emitter
EMOSFET (enhancement mode MOSFET)
-- MOP-küllustransistor
ENFET (enzyme FET) – ensüüm-väljatransistor
FET (field-effect transistor) -- väljatransistor
FinFET (fin field-effect transistor) – ribikanaliga väljatransistor
FlexFET – FlexFET (American Semiconductori kaubamärk)
floating gate transistor -- ujupaistransistor
FREDFET (fast-recovery epitaxial diode FET)
-- kiirtagastuv epitaksdiood-väljatransistor
GAA FET(gate-all-around FET)
-- ringpaisuga väljatransistor
gate – pais
GNRFET (graphene nano-ribbon FET)
-- grafeennanolint-väljatransistor
HEMT (high electron mobility transistor) = HFET
HFET (heterostructure FET) – hetero-väljatransistor
high-frequency transistor – kõrgsagedustransistor
IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
-- isoleeritud paisuga bipolaartransistor
ISFET (ion-sensitive field-effect transistor)
-- ioonitundlik väljatransistor
ITFET (interlayer tunnel FET)
-- kihtidevahelise tunneliga väljatransistor
ITFET (inverted T channel FET)
-- pöörd-T-kanaliga väljatransistor
JFET, JUGFET (junction FET, junction gate FET)
-- pn-siirdega väljatransistor
junction transistor = BJT
linear region -- lineaarala
MESFET (metal semiconductor FET)
-- metall-pooljuht-väljatransistor, Schottky väljatransistor
MNOS (metal-nitride-oxide-semiconductor)--
-- metall-nitriid-oksiid-pooljuht-
MODFET (modulation-doped FET) = HFET
MOS (metal-oxide-semiconductor)
--
-- MOP (metall-oksiid-pooljuht)
MOSFET (MOS FET)
-- MOP-väljatransistor, isoleerpaisuga väljatransistor
MiGFET (multiple-independent-gate FET)--
-- autonoom-mitmepaisuline väljatransistor
MuGFET (multigate FET) -- mitmepaisuline väljatransistor
nJFET (n-channel junction FET)- n-kanaliga pn-väljatransistor
nMOSFET (n-channel MOSFET) --
-- n-kanaliga isoleerpais-väljatransistor
NOMFET (nanoparticle organic memory FET)
-- sünaps-väljatransistor
NPN-BJT – npn-bipolaartransistor
OFET (organic field-effect transistor)
-- orgaaniline väljatransistor
ohmic region -- oomiala
omega FinFET -- oomegapaisuga ribikanal-väljatransistor
pJFET (p-channel junction FET) --
-- p-kanaliga pn-väljatransistor
pi-gate -- piipaisuga
photo transistor -- fototransistor
pinched-off region = cut-off region
planar -- planaar-
PNP-BJP -- pnp-bipolaartransistor
power transistor-- võimsustransistor
QFET (quantum FET) -- kvant-väljatransistor
reverse active mode – pöördaktiivrežiim
saturation region -- küllastusala
SET (single electron transistor) – ainuelektrontransistor
SNWFET (silicon nano wire FET)
-- räninanotraat-väljatransistor
source --läte
substrate – põhimik
TFET (tunnel FET)-- tunnel-väljatransistor
tri-gate – kolmepaisuline
UJT (unijunction transistor) -- ainusiirdega transistor, kaksikbaasdiood
vertical – püst-
VeSFET (vertical-slit FET) -- püstpiluga väljatransistor

Palun oodake...

Tõrge

transistor

transistor

olemus
lülitus- ja võimendusostarbeline elektroonikadetail
kolme-, nelja- või viieviigulise pooljuhtseadisena või
sellele vastav integraallülituse element

liigitusalused
- pooljuhtmaterjal: Ge, Si, GaAs, SiC, Si-Ge-sulam, grafeen
- struktuur: unipolaar-, bipolaar- ja nende alaliigid
- polaarsus: npn, pnp, n-kanaliga, p-kanaliga
- võimsus: väikevõimsus-, keskvõimsus-, võimsus-
- töösagedus:
------ madal-, kesk-, kõrg-, raadio-, mikrolainesagedus
- rakendus, näiteks:
------ universaal-, lülitus-, võimendus-, audio-, kõrgepinge-
- võimendustegur või läbijuhtivus
- kest: metall, plast, läbiava-, pind-

ülevaateid
https://en.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.learningaboutelectronics.com/Articles/Types-of-transistors.php

https://www.elprocus.com/different-types-of-transistor-and-their-functions/

http://www.electronicshub.org/transistors-classification-and-types/

väike transistorisõnastik
active region -- aktiivala
avalanche transistor -- laviintransistor
base -- baas
BioFET (biologically sensitive FET) -- biotundlik väljatransistor
BJT (bipolar junction transistor) -- bipolaartransistor
breakdown region – läbilöögiala
CMOS (complementary MOS) --
-- komplementaarne MOP (metall-oksiid-pooljuht- )
CNTFET (carbon nanotube FET) --
-- süsiniknanotoru-väljatransistor
collector – kollektor
cut-off mode _-- sulgerežiim
cut-off region_ – sulgeala
Darlington transistor, Darlington pair -- liittransistor
DEPFET (depleted FET) – vaegus-väljatransistor
DG (double-gate, dual-gate)– kahepaisuline
diffusion transistor _-- difusioontransistor
DNAFET (DNA field-effect transistor)_ –
-- DNH-väljatransistor
drain – neel
emitter – emitter
EMOSFET (enhancement mode MOSFET)
-- MOP-küllustransistor
ENFET (enzyme FET) – ensüüm-väljatransistor
FET (field-effect transistor) -- väljatransistor
FinFET (fin field-effect transistor) – ribikanaliga väljatransistor
FlexFET – FlexFET (American Semiconductori kaubamärk)
floating gate transistor -- ujupaistransistor
FREDFET (fast-recovery epitaxial diode FET)
-- kiirtagastuv epitaksdiood-väljatransistor
GAA FET(gate-all-around FET)
-- ringpaisuga väljatransistor
gate – pais
GNRFET (graphene nano-ribbon FET)
-- grafeennanolint-väljatransistor
HEMT (high electron mobility transistor) = HFET
HFET (heterostructure FET) – hetero-väljatransistor
high-frequency transistor – kõrgsagedustransistor
IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
-- isoleeritud paisuga bipolaartransistor
ISFET (ion-sensitive field-effect transistor)
-- ioonitundlik väljatransistor
ITFET (interlayer tunnel FET)
-- kihtidevahelise tunneliga väljatransistor
ITFET (inverted T channel FET)
-- pöörd-T-kanaliga väljatransistor
JFET, JUGFET (junction FET, junction gate FET)
-- pn-siirdega väljatransistor
junction transistor = BJT
linear region -- lineaarala
MESFET (metal semiconductor FET)
-- metall-pooljuht-väljatransistor, Schottky väljatransistor
MNOS (metal-nitride-oxide-semiconductor)--
-- metall-nitriid-oksiid-pooljuht-
MODFET (modulation-doped FET) = HFET
MOS (metal-oxide-semiconductor)
--
-- MOP (metall-oksiid-pooljuht)
MOSFET (MOS FET)
-- MOP-väljatransistor, isoleerpaisuga väljatransistor
MiGFET (multiple-independent-gate FET)--
-- autonoom-mitmepaisuline väljatransistor
MuGFET (multigate FET) -- mitmepaisuline väljatransistor
nJFET (n-channel junction FET)- n-kanaliga pn-väljatransistor
nMOSFET (n-channel MOSFET) --
-- n-kanaliga isoleerpais-väljatransistor
NOMFET (nanoparticle organic memory FET)
-- sünaps-väljatransistor
NPN-BJT – npn-bipolaartransistor
OFET (organic field-effect transistor)
-- orgaaniline väljatransistor
ohmic region -- oomiala
omega FinFET -- oomegapaisuga ribikanal-väljatransistor
pJFET (p-channel junction FET) --
-- p-kanaliga pn-väljatransistor
pi-gate -- piipaisuga
photo transistor -- fototransistor
pinched-off region = cut-off region
planar -- planaar-
PNP-BJP -- pnp-bipolaartransistor
power transistor-- võimsustransistor
QFET (quantum FET) -- kvant-väljatransistor
reverse active mode – pöördaktiivrežiim
saturation region -- küllastusala
SET (single electron transistor) – ainuelektrontransistor
SNWFET (silicon nano wire FET)
-- räninanotraat-väljatransistor
source --läte
substrate – põhimik
TFET (tunnel FET)-- tunnel-väljatransistor
tri-gate – kolmepaisuline
UJT (unijunction transistor) -- ainusiirdega transistor, kaksikbaasdiood
vertical – püst-
VeSFET (vertical-slit FET) -- püstpiluga väljatransistor

Andmete allalaadimisel või töötlemisel esines tehniline tõrge.
Vabandame!